溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响
刘敏,崔增丽,黄致新,郭继花,张峰
刘敏（华中师范大学出版社,武汉,430079;华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;崔增丽（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;黄致新（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;郭继花（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;张峰（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）
Effect of sputtering power on structure and properties of copper nitride thin films
刘敏,崔增丽,黄致新,郭继花,张峰
刘敏（华中师范大学出版社,武汉,430079;华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;崔增丽（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;黄致新（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;郭继花（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）;张峰（华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079）
摘要 采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氧气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均品粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102 Ωcm增加到2.99×103 Ωcm.
收稿日期: 2008-01-25
引用本文:
刘敏,崔增丽,黄致新,郭继花,张峰. 溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响[J]. , 2008, 47(1): 0-0.
链接本文:
https://journal.ccnu.edu.cn/zk/CN/ 或 https://journal.ccnu.edu.cn/zk/CN/Y2008/V47/I1/0
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