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| 四角状纳米ZnO的制备及其场发射性能 |
| 胡永红1,2， 刘宏章3 |
| 1.湖北工程学院 物理与电子信息工程学院， 湖北 孝感；2.南京理工大学 材料科学与工程学院， 南京；3.湖北科技学院 核技术与化学生物学院， 湖北 咸宁 |
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| 胡永红1,2， 刘宏章3 |
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摘要 利用热蒸发法制备出了新颖的四角状ZnO纳米棒. 研究了四角状纳米ZnO的场发射特性. 场发射测试表明四角状ZnO纳米棒具有较好的场发射特性， 开启电场为2.9 V/μm， 阈值电场为5.4 V/μm. 这一结果表明四角状ZnO纳米棒是一种性能优良的冷阴极电子发射源.
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收稿日期: 1900-01-01
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