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| 不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响 |
| 毛彩霞1， 黄海铭2， 胡永红1,3 |
| 1.湖北科技学院 核技术与化学生物学院， 湖北 咸宁； 2.湖北汽车工业学院 理学院， 湖北 十堰； 3.南京理工大学 材料科学与工程学院， 南京 |
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| 毛彩霞1， 黄海铭2， 胡永红1,3 |
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摘要 通过一性原理计算， 研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响. 结果表明， 替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽， 而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体. 比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度， 并解释了相应的电子结构和光学性质的差别. 发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小， 而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移， 折射率减小， 而且在可见到近紫外光区域 (0到4.2 eV)， 具有比纯ZnO更好的光透过性.
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收稿日期: 1900-01-01
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