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| 一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响 |
| 苏 文1， 李盈盈2 |
| 1.武汉大学 动力与机械学院， 武汉； 2.国核(北京)科学技术研究院， 北京 |
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| 苏 文1， 李盈盈2 |
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摘要 使用一性原理计算方法研究C/Si比对β-SiC的理想剪切强度的影响，建立化学计量比下理想β－SiC分子模型，用C原子替换其中的Si原子，经蒙特卡罗方法优化得到非化学计量比下的SiC分子模型，这些晶体的C/Si比的变化范围是1～1.52.每个模型样品都沿[100]方向剪切，得到其剪切应力应变关系，最终了解C/Si比对SiC理想剪切强度的影响.计算结果表明，随着C/Si比增加，SiC的理想强度总体上呈下降趋势.在剪切载荷逐渐增大情况下，晶体会在C团簇周围的C－C键或者C－Si键处断裂.C原子的聚集，会使SiC的剪切强度减少，因为C团簇内部存在应变，而且C团簇越大，SiC的剪切强度下降得越剧烈.
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收稿日期: 1900-01-01
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